碳化硅单晶抛光片衬底制备清洗

碳化硅粉清洗：
探花硅粉在生产过程中需要经过清洗和除尘工艺，往碳化硅粉中加入纯水后，进行人工搅拌，待搅拌至达到水洗要求后经过超声波漂洗，超声波漂洗人工捞至石英托盘中，再长时间烘干即可。

晶体生长：
在2,300°C以上高温、接近真空的低压下加热碳化硅粉料，使其升华产生包含Si、Si2C、SiC2等不同气相组分的反应气体，通过固气反应产生碳化硅单晶反应源；由于固相升华反应形成的Si、C成分的气相分压不同，Si/C化学计量比随热场分布存在差异，需要使气相组分按照设计的热场和温梯进行分布和传输，使组分输运至生长腔室既定的结晶位置；

晶锭加工：
将碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后通过精密机械加工的方式磨平、滚圆，加工成标准直径尺寸和角度的碳化硅晶棒。对所有成型晶棒进行尺寸、角度等指标检测。

晶棒切割：
在考虑后续加工余量的前提下，使用金刚石细线将碳化硅晶棒切割成满足客户需求的不同厚度的切割，并使用全自动测试设备进行翘曲度（Warp）、弯曲度（Bow）、厚度变化（TTV）等面型检测。

切割片研磨：
通过自有工艺配方的研磨液将切割片减薄到相应的厚度，并且消除表面的线痕及损伤。使用全自动测试设备及非接触电阻率测试仪对全部切割片进行面型及电学性能检测。

研磨片抛光：
通过配比好的抛光液对研磨片进行机械抛光和化学抛光，用来消除表面划痕、降低表面粗糙度及消除加工应力等，使研磨片表面达到纳米级平整度。使用X射线衍射仪、原子力显微镜、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设备，检测碳化硅抛光片的各项参数指标，据此判定抛光片的质量等级。

抛光片清洗：
在百级超净间内，通过特定配比的化学试剂及去离子水对清洗机内的抛光片进行清洗（建议辅助超声波清洗机清洗）去除抛光片表面的微尘颗粒、金属离子、有机沾污物等，离心甩干封装在洁净片盒内，形成可供客户开盒即用的碳化硅衬底。

超声兆声波清洗设备

科力超声可以提供25-200KHz超声波清洗设备，超声波振板，超声波发生器以及频率950KHz的兆声清洗设备，兆赫兹级别的超高频超声波有更高的清洗精度，被广泛应用于半导体清洗、显影、除胶、刻蚀等领域。极低的超声空化效应，不会对器件表面造成损伤超高清洗精度高防腐性，可耐各种酸碱溶液及有机溶剂。