单晶硅片超声波清洗机是一种用于清洗晶硅片等精密零部件的一种清洗设备，经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的硅片，

其表面已吸附了各种杂质，如颗粒、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质，在进行扩散前需要进行清洗，消除各类污染物且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。清洗主要是利用NaOH、HF、HCL等化学液对硅片进行腐蚀处理，去除硅片表面的机械损伤层，对硅片的表面进行凹凸面(金字塔绒面）处理，增加光在太阳电池片表面的折射次数，利于太阳电池片对光的吸收，以达到电池片对太阳能价值的最大利用率，清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波振板对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。

单晶硅超声波清洗机是通过超声波振动在液体中形成微小的气泡，这些气泡由于超声波空化作用快速地破裂而产生微小的擦洗从而出去单晶硅片表面的污染物。超声波清洗技术在半导体行业中已经是一种广泛应用到的清洗方式，它具有清洗效果好、操作简单等优势。在单晶硅片的制作过程中大部分步骤为清洗工艺，在清洗硅片中应正确的使用单晶硅片超声波清洗机，单晶硅片的洁净度对半导体器件的性能起着至关重要的作用。

超声波清洗机辅助清洗：

颗粒沾污:运用物理方法，可采取机械擦洗或超声波清洗技术来去除超声波清洗时，由于空洞现象，只能去除 ≥ 0.4 um颗粒。兆声清洗时，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除≥ 0.2 um 颗粒，即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避免超声洗硅片产生损伤。

化学清洗剂清洗

硅片化学清洗的主要目的是针对上述可能存在的硅片表面杂质进行去除。常用的化学清洗剂有高纯水、有机溶剂(如田苯、二甲苯、丙酮、三氯乙烯、四氯化碳等)、浓酸、强碱以及高纯中性洗涤剂等。

硅片的干燥工艺

硅片清洗的最后一个步骤就是硅片的烘干。烘干的目的主要是防止硅片再污染及在硅片表面产生印记。仅仅在去离子水冲洗后，在空气中风干是远远不够的。一般可以通过旋转烘干，或通过热空气或热氮气使硅片变干。另外的方法是通过在硅片表面涂拭易于挥发的液体，如异丙醇等，通过液体的快速挥发来干燥硅片表面。